Fio de base de fio diamantado para corte de wafer de silício

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Cabo de aço banhado a cobre 8

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Fio de base de fio diamantado para corte de wafer de silício

Nosso fio central revestido de latão de alta resistência é o material de base essencial para a fabricação de fio diamantado galvanizado premium.

Com resistência à tração ultra-alta, consistência dimensional estável, revestimento de latão uniforme e excelente desempenho de adesão superficial, o fio central fornece uma base perfeita para fixar grãos abrasivos de diamante durante o processo de galvanoplastia. Garante efetivamente a estabilidade estrutural, durabilidade de corte e desempenho geral do fio diamantado acabado.

O fio diamantado acabado, processado a partir do nosso fio com núcleo revestido de latão, é amplamente aplicado no corte de alta precisão de materiais duros e quebradiços nas indústrias fotovoltaica e de semicondutores, incluindo silício monocristalino, silício policristalino, lingotes de silício e boules de silício.

Adotando a tecnologia de corte de fio diamantado abrasivo fixo, o fio processado atinge espessura de corte ultrafina, perda mínima de corte, superfície lisa do wafer e alta eficiência de corte. Ele melhora muito a taxa de rendimento de wafers de silício e reduz custos abrangentes de produção para empresas de fabricação de células solares e wafers semicondutores.

Nosso fio com núcleo revestido de latão suporta diâmetros de fio e parâmetros mecânicos personalizados para combinar com diferentes gerações de produção de fio diamantado e equipamentos de corte de vários fios, proporcionando desempenho confiável e consistente para produção em massa de wafers de silício.